型番

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 300 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI1029X-T1-GE3 パッケージSC-89-6

RS品番:: 787-9055
メーカー型番:: SI1029X-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 300 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI1029X-T1-GE3 パッケージSC-89-6

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計：*

￥1,544.00

￥1,698.40

3,000円を超える注文については、送料無料

在庫限り

1,560 は海外在庫あり（最終在庫）

個	単価	購入単位毎合計*
20 - 480	￥77.20	￥1,544
500 - 4980	￥68.40	￥1,368
5000 - 9980	￥59.50	￥1,190
10000 - 19980	￥49.45	￥989
20000 +	￥40.50	￥810

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:: 787-9055
メーカー型番:: SI1029X-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプP, タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	300mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	SC-89-6
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	8Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	250mW
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.4V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	750nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	動作温度 Max	150°C
	トランジスタ構成	分離式
	長さ	1.7mm
	規格 / 承認	No
	幅	1.7 mm
	高さ	0.6mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプP, タイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 300mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 SC-89-6
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 250mW
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.4V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 750nC
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	動作温度 Max 150°C
	トランジスタ構成分離式
	長さ 1.7mm
	規格 / 承認 No
	幅 1.7 mm
	高さ 0.6mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 300 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI1029X-T1-GE3 パッケージSC-89-6

3,000円を超える注文については、送料無料

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ