2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 300 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI1029X-T1-GE3 パッケージSC-89-6

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梱包形態
RS品番:
787-9055
メーカー型番:
SI1029X-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

300mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SC-89-6

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

750nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

250mW

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.4V

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

幅

1.7 mm

長さ

1.7mm

高さ

0.6mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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