Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル, 分離式, 20 V, 4 A, 58 mΩ, 17 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC
- RS品番:
- 165-2751
- メーカー型番:
- SI9933CDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
取扱停止中
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- RS品番:
- 165-2751
- メーカー型番:
- SI9933CDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 58mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17nC | |
| 動作温度 Min | -50°C | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -12V, +12V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.55mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 58mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17nC | ||
動作温度 Min -50°C | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -12V, +12V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.55mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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