2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 4 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥101,805.00

(税抜)

￥111,985.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年3月30日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 10000￥40.722￥101,805
12500 - 22500￥40.295￥100,738
25000 - 60000￥39.868￥99,670
62500 - 122500￥39.442￥98,605
125000 +￥39.014￥97,535

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-2751
メーカー型番:
SI9933CDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

58mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

2W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

動作温度 Min

150°C

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

150°C

高さ

1.55mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ