Vishay Nチャンネル MOSFET100 V 28 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 165-7153
- メーカー型番:
- SIHL540STRL-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
一時的な在庫切れ - 2024/10/14に入荷し、その後4営業日でお届け予定
単価： 購入単位は800 個
￥123.076
(税抜)
￥135.384
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 800 - 3200 | ￥123.076 | ￥98,460.80 |
| 4000 - 7200 | ￥120.615 | ￥96,492.00 |
| 8000 - 19200 | ￥118.204 | ￥94,563.20 |
| 20000 - 39200 | ￥115.839 | ￥92,671.20 |
| 40000 + | ￥113.521 | ￥90,816.80 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 165-7153
- メーカー型番:
- SIHL540STRL-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 28 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 110 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最大パワー消費 | 150 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -10 V, +10 V |
| 長さ | 10.67mm |
| 幅 | 9.65mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 64 nC @ 5 V |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 高さ | 4.83mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
関連ページ
- Infineon Nチャンネル ダイオード内蔵40 V 162 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET600 V 28 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Infineon Pチャンネル MOSFET150 V 13 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET500 V 8.1 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 9 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 4 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET100 V 13 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン