Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 29 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB105N60EF-GE3

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梱包形態
RS品番:
204-7205
メーカー型番:
SIHB105N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

SiHB105N60EF

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

102mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

53nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

208W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

高さ

15.88mm

幅

4.83 mm

自動車規格

なし

Vishay EF シリーズパワー MOSFET （高速ボディダイオード付）は、第 4 世代 Eスイッチング損失及び導電損失を低減しています。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ Co （ er ）

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