Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
210-4966
メーカー型番:
SIHB11N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

391mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

78W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

42nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

幅

9.65 mm

高さ

4.06mm

長さ

14.61mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay E シリーズパワー MOSFET は、シングル構成の D2PAK （ TO-263 ）パッケージタイプです。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ CISS ）

スイッチング損失及び導電損失を低減

超低ゲート電荷(Qg)

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています

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