Vishay Nチャンネル MOSFET600 V 28 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 177-7628
- メーカー型番:
- SIHB28N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫切れ
単価： 購入単位は1000個
￥470.77
(税抜)
￥517.85
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | ￥470.77 | ￥470,770.00 |
| 2000 - 9000 | ￥459.327 | ￥459,327.00 |
| 10000 - 14000 | ￥447.885 | ￥447,885.00 |
| 15000 - 19000 | ￥436.443 | ￥436,443.00 |
| 20000 + | ￥425.00 | ￥425,000.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 177-7628
- メーカー型番:
- SIHB28N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルMOSFET (高速ダイオード搭載)、EFシリーズ、Vishay Semiconductor
逆回復時間、逆回復電荷、及び逆回復電流を低減
低性能指数(FOM)
低入力静電容量(Ciss)
低逆回復電荷により堅牢性を向上
超低ゲート電荷(Qg)
低性能指数(FOM)
低入力静電容量(Ciss)
低逆回復電荷により堅牢性を向上
超低ゲート電荷(Qg)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 28 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
| シリーズ | EF Series |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 123 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 250 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 幅 | 9.65mm |
| 長さ | 10.67mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
| 高さ | 4.83mm |
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