Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
177-7628
メーカー型番:
SIHB28N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

28A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

EF

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

123mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

250W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

9.65 mm

長さ

10.67mm

高さ

4.83mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET (高速ダイオード搭載)、EFシリーズ、Vishay Semiconductor


逆回復時間、逆回復電荷、及び逆回復電流を低減

低性能指数(FOM)

低入力静電容量(Ciss)

低逆回復電荷により堅牢性を向上

超低ゲート電荷(Qg)

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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