2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 4.5 A, 表面 12 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-70

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RS品番:
165-7183
メーカー型番:
SIA517DJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

12V

パッケージ型式

SC-70

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

170mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

最大許容損失Pd

6.5W

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

高さ

0.8mm

幅

2.15 mm

長さ

2.15mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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