Vishay パワーMOSFET, タイプP, タイプNチャンネル, 分離式, 12 V, 4.5 A, 170 mΩ, 9.7 nC, 6ピン, パッケージ：SC-70
- RS品番:
- 814-1225
- メーカー型番:
- SIA517DJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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- RS品番:
- 814-1225
- メーカー型番:
- SIA517DJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 12V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SC-70 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 170mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -8V, +8V | |
| 最大許容損失Pd | 6.5W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 長さ | 2.15mm | |
| 高さ | 0.8mm | |
| 幅 | 2.15mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 12V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SC-70 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 170mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.7nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -8V, +8V | ||
最大許容損失Pd 6.5W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
長さ 2.15mm | ||
高さ 0.8mm | ||
幅 2.15mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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