型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 5.1 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSC-75

RS品番:: 165-7263
メーカー型番:: SIB406EDK-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 5.1 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSC-75

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15000 - 27000	￥32.027	￥96,081
30000 - 72000	￥31.549	￥94,647
75000 - 147000	￥31.071	￥93,213
150000 +	￥30.598	￥91,794

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RS品番:: 165-7263
メーカー型番:: SIB406EDK-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	5.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	SC-75
	シリーズ	SiB406EDK
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	63mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	7.5nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	12 V
	順方向電圧 Vf	0.8V
	最大許容損失Pd	10W
	動作温度 Max	150°C
	長さ	1.7mm
	幅	1.7 mm
	規格 / 承認	No
	高さ	0.8mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 5.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 SC-75
	シリーズ SiB406EDK
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 63mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.5nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 12 V
	順方向電圧 Vf 0.8V
	最大許容損失Pd 10W
	動作温度 Max 150°C
	長さ 1.7mm
	幅 1.7 mm
	規格 / 承認 No
	高さ 0.8mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 5.1 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSC-75

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NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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