Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 5.1 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSC-75, SIB406EDK-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
814-1247
メーカー型番:
SIB406EDK-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SC-75

シリーズ

SiB406EDK

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

63mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.5nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

最大許容損失Pd

10W

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

1.7mm

高さ

0.8mm

幅

1.7 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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