Vishay MOSFET, Pチャンネル, 190 A, 表面実装, 3 ピン, SI1021R-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
180-7825
メーカー型番:
SI1021R-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

P

最大連続ドレイン電流

190 A

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

シリーズ

TrenchFET

パッケージタイプ

SC-75

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

8 O

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

3V

1チップ当たりのエレメント数

1

COO（原産国）:
CN
Vishay Siliconix Si1021R シリーズ TrenchFET パワー MOSFET は、低オン状態抵抗で高速スイッチング速度を特長としています。バッテリ駆動システム、電源コンバータ回路、ソリッドステートリレー、及びドライバで使用されます。

スイッチの運転が容易
低オフセット電圧
低電圧動作
高速回路
バッファなしで簡単に駆動
小型ボードエリア

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