Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 94 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 165-8196
- メーカー型番:
- IRF1010ZSTRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 165-8196
- メーカー型番:
- IRF1010ZSTRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 94A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 7.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | -1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 140W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 94A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf -1.3V | ||
最大許容損失Pd 140W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 4.83mm | ||
長さ 10.67mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流94A、最大許容損失140W - IRF1010ZSTRLPBF
この表面実装MOSFETは、さまざまな用途で卓越した性能を発揮します。インフィニオンが開発したこの製品は、高度な処理技術を駆使して低オン抵抗と大電流処理能力を実現している。高温環境下での有効性により、オートメーション、エレクトロニクス、電気、機械分野の専門家にとって重要な部品となっている。
特徴と利点
• 94Aの高連続ドレイン電流で高負荷アプリケーションに対応
• 7.5mΩの低RDS(on)で電力損失を最小限に抑え、効率を向上
• 最大55Vのドレイン・ソース間電圧により、柔軟な設計が可能
• 最高使用温度175℃の高い信頼性
• 高速スイッチング機能により、回路応答の遅延を低減
• Nチャンネル構成は高度な電子設計に適している
用途
• 電力管理および変換システムに利用
• オートメーション技術のモーター制御回路に採用
• 高効率が要求される電源設計に最適
• 電気自動車のパワーエレクトロニクスに不可欠
• 効果的なエネルギー変換のために再生可能エネルギーシステムで使用
オン抵抗が低いことの意味は？
オン抵抗が7.5mΩと低いため、動作中の発熱が最小限に抑えられ、効率の向上と冷却要件の低減につながる。
このMOSFETの高温環境での性能は？
最大動作温度は175℃まで対応し、性能を損なうことなく過酷な条件にも対応する。
このコンポーネントにはどのような取り付けが必要ですか？
このデバイスは表面実装用に設計されており、プリント回路基板上でのコンパクトなレイアウトと効率的な熱管理が可能です。
パルス電流を効果的に扱えるか？
パルスドレイン電流定格は360Aで、過渡状態を効率的に管理できる。
回路の互換性について、どのような特性を考慮すべきでしょうか？
回路設計において適切なスイッチング動作を保証するために、ゲートしきい値電圧の範囲が2V～4Vであることを確認してください。
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