Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 85 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール800個入り) 小計：*

￥93,772.80

(税抜)

￥103,150.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年3月16日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
800 - 3200￥117.216￥93,773
4000 - 7200￥116.036￥92,829
8000 - 19200￥113.721￥90,977
20000 - 39200￥111.451￥89,161
40000 +￥109.209￥87,367

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-8197
メーカー型番:
IRF1010NSTRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

85A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

180W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

120nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

4.83mm

長さ

10.67mm

幅

11.3 mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V


インフィニオンのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ