2 DiodesZetex MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 10 A, 表面実装 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN2013UFX-7 パッケージWDFN
- RS品番:
- 165-8416
- メーカー型番:
- DMN2013UFX-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ¥42.60 | ¥127,800 |
| 15000 - 27000 | ¥41.738 | ¥125,214 |
| 30000 - 72000 | ¥39.513 | ¥118,539 |
| 75000 - 147000 | ¥38.401 | ¥115,203 |
| 150000 + | ¥37.29 | ¥111,870 |
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- RS品番:
- 165-8416
- メーカー型番:
- DMN2013UFX-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 6 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -8/8 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 2.14W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 高さ | 0.8mm | |
| 長さ | 2.1mm | |
| 幅 | 5.1 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 6 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -8/8 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 2.14W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
高さ 0.8mm | ||
長さ 2.1mm | ||
幅 5.1 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
- COO(原産国):
- CN
NチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
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