Infineon MOSFET, タイプP, タイプNチャンネル, 分離式, 20 V, 1.5 A, 280 mΩ, 3 nC, 6ピン, パッケージ:TSOP

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RS品番:
166-1086
メーカー型番:
BSL215CH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

1.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

TSOP

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

280mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

-12V, +12V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3nC

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

500mW

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

長さ

2.9mm

規格 / 承認

No

幅

1.6mm

高さ

1mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
MY

インフィニオンOptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 20V、最大連続ドレイン電流 1.5A - BSL215CH6327XTSA1


このMOSFETは、自動車および産業用途におけるスイッチングおよび増幅を目的として設計されたコンパクト表面実装パワートランジスタデバイスです。絶縁構成のペアトランジスタエレメントで構成され、PチャンネルとNチャンネルの両方の動作が必要な相補用途をサポートします。このコンポーネントは、小型フットプリントと業界特有の信頼性が重要なプリント基板での使用向けに設計されています。

特長:


• 3 nCの低ゲート電荷により、より高速なスイッチング性能を実現
• 最大連続ドレイン電流1.5Aにより、中程度の負荷がかかる回路をサポート
• 280 mΩのドレイン-ソース間抵抗により、伝導損失を低減
• 低電圧システム向けに、ドレイン-ソース間電圧20Vに対応
• 500 mWの許容電力により、コンパクト設計でも熱負荷を抑制
• AEC Q101に適合し、自動車用ストレス耐性を向上

用途


• 自動車用信号の切り替えや制御回路に最適
• バッテリー管理および電力分配モジュールに使用
• コンパクトなDC-DCコンバータおよび電圧レギュレータに最適
• 情報エンターテイメントサブシステムのロードスイッチに使用可能
• 組み込みモータ制御ドライバ段階に適用

どのような温度範囲内で確実に動作することができますか?


-55°C~150°Cで動作し、コールドスタートから高いボンネット温度まで使用できます。

チップにはいくつのトランジスタ抵抗体がありますか?


このデバイスはチップあたり2つのエレメントを絶縁構成に配置し、柔軟な回路トポロジを実現します。

設計者は、どのようなパッケージとピン数を想定すべきでしょうか?


表面実装およびレイアウト計画用の6ピンを備えたTSOPパッケージで提供されます。

どのゲートソースおよび順方向電圧制限に注意する必要がありますか?


最大ゲート-ソース電圧は12V、ダイオード伝導を考慮するための順方向電圧は0.8Vです。

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