Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 分離式, 30 V, 2 A, 130 mΩ, -5 nC, 6ピン, パッケージ：TSOP
- RS品番:
- 892-2172
- Distrelec 品番:
- 304-44-410
- メーカー型番:
- BSL308PEH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋40個入り) 小計：*
￥5,144.00
(税抜)
￥5,658.40
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 5,760 は 2026年9月16日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 40 - 120 | ￥128.60 | ￥5,144 |
| 160 - 1360 | ￥114.75 | ￥4,590 |
| 1400 - 1560 | ￥100.70 | ￥4,028 |
| 1600 - 2360 | ￥86.975 | ￥3,479 |
| 2400 + | ￥73.00 | ￥2,920 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 892-2172
- Distrelec 品番:
- 304-44-410
- メーカー型番:
- BSL308PEH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | TSOP | |
| シリーズ | OptiMOS P | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 130mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | -0.8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | -5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 2.9mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 幅 | 1.6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 TSOP | ||
シリーズ OptiMOS P | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 130mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf -0.8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs -5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 2.9mm | ||
高さ 1mm | ||
幅 1.6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
インフィニオン OptiMOS Pシリーズ MOSFET、ドレイン-ソース間電圧 30V、最大連続ドレイン電流 2A - BSL308PEH6327XTSA1
このMOSFETは、自動車および産業用電子機器における表面実装用途向けのPチャネンルエンハンスメントトランジスタです。高温環境向けのスイッチデバイス機能を備え、単一チップにデュアルエレメントを装備したコンパクトなTSOP 6ピンパッケージで提供され、スペースに制約のある回路アセンブリに適しています。
特長：
• 130mΩの低オン抵抗により導通損失を低減
• 30Vドレイン-ソース電圧に対応し、30Vシステム使用が可能
• 2Aの連続ドレイン電流容量により、中程度の負荷に対応
• 標準ゲート電荷5nC (Vgs時) で高速スイッチング応答を実現
• 許容電力500mWにより、信頼性の高い熱処理が可能
• 自動車用ストレス性能に関するAEC-Q101に適合
• 30Vドレイン-ソース電圧に対応し、30Vシステム使用が可能
• 2Aの連続ドレイン電流容量により、中程度の負荷に対応
• 標準ゲート電荷5nC (Vgs時) で高速スイッチング応答を実現
• 許容電力500mWにより、信頼性の高い熱処理が可能
• 自動車用ストレス性能に関するAEC-Q101に適合
用途
• 高温の自動車用電源スイッチに最適
• バッテリー管理システムにおける負荷スイッチングに最適
• P‐チャンネルデバイスを必要とするDC-DCコンバータに使用
• デュアルチャンネル極性保護回路に使用可能
• コンパクトな表面実装配電基板に最適
• バッテリー管理システムにおける負荷スイッチングに最適
• P‐チャンネルデバイスを必要とするDC-DCコンバータに使用
• デュアルチャンネル極性保護回路に使用可能
• コンパクトな表面実装配電基板に最適
安全に動作させるために、どのようなゲート電圧制限を守る必要がありますか？
デバイスのストレスを回避するため、ゲート-ソース間電圧はどちらの極性でも20Vを超えてはなりません。
チップにはいくつのトランジスタが装備され、それにより何が可能になりますか？
チップあたり2つのPチャンネルエレメントを備え、ペアスイッチングまたは簡素化されたデュアルチャンネルレイアウトを実現します。
動作中、このデバイスはどの程度の周囲温度範囲に耐えることができますか？
-55°C～150°Cの動作に対応し、ジャンクション温度が高い用途向けに設計されています。
パッケージは基板上の部品配置や配線にどのような影響を及ぼしますか？
TSOP 6ピン表面パッケージは、基板フットプリントを最小限に抑え、コンパクトな設計のための熱および信号ルーティングを簡素化します。
関連ページ
- Infineon MOSFET 分離式 2 A -5 nC パッケージ：TSOP
- Infineon MOSFET タイプNチャンネル 20 V 280 mΩ 6ピン, パッケージ：TSOP
- Infineon MOSFET タイプPチャンネル 30 V 280 mΩ 6ピン, パッケージ：TSOP-6
- Infineon MOSFET 5.5 A パッケージ：TSOP
- Infineon MOSFETアレイ タイプNチャンネル 30 V 57 mΩ 6ピン, パッケージ：TSOP
- Infineon MOSFET 30 V 130 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 20 V 41 mΩ パッケージ：TSOP
- Infineon MOSFET 20 V 67 mΩ パッケージ：TSOP