2 Infineon MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 2 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, BSL308PEH6327XTSA1 パッケージTSOP
- RS品番:
- 892-2172
- メーカー型番:
- BSL308PEH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 160 - 1360 | ¥46.20 | ¥1,848 |
| 1400 - 1560 | ¥40.55 | ¥1,622 |
| 1600 - 2360 | ¥35.00 | ¥1,400 |
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- RS品番:
- 892-2172
- メーカー型番:
- BSL308PEH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | OptiMOS P | |
| パッケージ型式 | TSOP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 130mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | -5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | -0.8V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 2.9mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 幅 | 1.6 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-44-410 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ OptiMOS P | ||
パッケージ型式 TSOP | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 130mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs -5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf -0.8V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 2.9mm | ||
高さ 1mm | ||
幅 1.6 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-44-410 | ||
Infineon OptiMOS ™ P チャネルパワーMOSFET
Infineon OptiMOS の機能 ™ P チャネルパワー MOSFET は、高品質の性能を発揮する強化機能を提供するように設計されています。超低スイッチング損失、オン状態抵抗、アバランシェ定格、自動車ソリューション向けの AEC 認定などの機能を備えています。DC-DC 、モータ制御、自動車、 eMobility などの用途に適しています。
エンハンスメントモード
アバランシェ定格
スイッチングロスと導電損失が低い
無鉛めっき、RoHS準拠
標準パッケージ
OptiMOS™ Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
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