2 onsemi MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 3.8 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージMicroFET

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RS品番:
166-2713
メーカー型番:
FDME1024NZT
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

3.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

PowerTrench

パッケージ型式

MicroFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

160mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3nC

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

最大許容損失Pd

1.4W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.7V

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

規格 / 承認

No

高さ

0.5mm

1.6 mm

長さ

1.6mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

PowerTrench®デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor


Semis PowerTrench ® MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。

PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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