onsemi MOSFET, Nチャンネル, 分離式, 20 V, 1.2 A, 259 mΩ, 1.8 nC, 6ピン, パッケージ：SOT-363

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梱包形態
RS品番:
864-8142
メーカー型番:
FDG1024NZ
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

トランジスタ構成

分離式

最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)

20 V

最大連続ドレイン電流(Id)

1.2 A

最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)

259 mΩ

標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs

1.8 nC

ピン数

6

パッケージ型式

SOT-363

自動車規格

なし

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 (Vf)

700 mV

高さ

1 mm

長さ

2 mm

最大ゲートソース電圧(Vgs)

-8 V, +8 V

動作温度 (Max)

150 °C

最大許容損失(Pd)

360 mW

動作温度 (Min)

-55 °C

取付タイプ

表面

1チップ当たりのエレメント数

2

シリーズ

PowerTrench

規格 / 承認

No

幅

1.25 mm

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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