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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	750 mA
	最大ドレイン-ソース間電圧	30 V
	シリーズ	PowerTrench
	パッケージタイプ	SOT-363
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗	400 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最低ゲートしきい値電圧	0.65V
	最大パワー消費	360 mW
	トランジスタ構成	絶縁型
	最大ゲート-ソース間電圧	-12 V, +12 V
	幅	1.25mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs	1.03 nC @ 4.5 V
	動作温度 Max	+150 °C
	長さ	2mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	トランジスタ素材	Si
	高さ	1mm
	動作温度 Min	-55 °C

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 750 mA
	最大ドレイン-ソース間電圧 30 V
	シリーズ PowerTrench
	パッケージタイプ SOT-363
	実装タイプ表面実装
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最低ゲートしきい値電圧 0.65V
	最大パワー消費 360 mW
	トランジスタ構成絶縁型
	最大ゲート-ソース間電圧 -12 V, +12 V
	幅 1.25mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs 1.03 nC @ 4.5 V
	動作温度 Max +150 °C
	長さ 2mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	トランジスタ素材 Si
	高さ 1mm
	動作温度 Min -55 °C

PowerTrench®デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor

Semis PowerTrench ® MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi

ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 750 mA, 表面実装, 6 ピン, FDG8850NZ

PowerTrench®デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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