2 onsemi MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 750 mA, 表面実装 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, FDG8850NZ パッケージSOT-363

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
梱包形態
RS品番:
671-0362
メーカー型番:
FDG8850NZ
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

750mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOT-363

シリーズ

PowerTrench

取付タイプ

表面実装

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

400mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

150°C

高さ

1mm

長さ

2mm

1チップ当たりのエレメント数

2

Fairchild Semiconductor PowerTrench®デュアルNチャンネルMOSFET


ON Semis PowerTrench® MOSFETは、最適化されたパワースイッチングにより、システム効率と電力密度を向上させます。小さなゲート電荷、小さな逆回復、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせて、AC / DC電源の同期整流の高速スイッチングに貢献します。

PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオード性能により、スナバ回路を排除したり、高電圧定格MOSFETを交換したりできます。

MOSFETトランジスタ、ONセミ


><

ONセミMOSFETは、電圧スパイクやオーバーショットの低減、ジャンクション静電容量の低減、逆回復電荷の低減、システムを長時間動作させるための追加の外部コンポーネントの排除など、優れた設計信頼性を実現します。

関連ページ