IXYS MOSFET, Nチャンネル, 66 A, スクリュー マウント, 4 ピン, IXFN80N60P3
- RS品番:
- 168-4759
- メーカー型番:
- IXFN80N60P3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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|---|---|---|
| 10 - 40 | ￥3,887.50 | ￥38,875.00 |
| 50 - 90 | ￥3,847.60 | ￥38,476.00 |
| 100 - 240 | ￥3,770.70 | ￥37,707.00 |
| 250 - 490 | ￥3,695.20 | ￥36,952.00 |
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- RS品番:
- 168-4759
- メーカー型番:
- IXFN80N60P3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 66 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V | |
| シリーズ | HiperFET, Polar3 | |
| パッケージタイプ | SOT-227 | |
| 実装タイプ | スクリュー マウント | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 70 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V | |
| 最大パワー消費 | 960 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| 長さ | 38.23mm | |
| 幅 | 25.07mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 9.6mm | |
すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 66 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 600 V | ||
シリーズ HiperFET, Polar3 | ||
パッケージタイプ SOT-227 | ||
実装タイプ スクリュー マウント | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 70 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 5V | ||
最大パワー消費 960 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
トランジスタ素材 Si | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 190 nC @ 10 V | ||
長さ 38.23mm | ||
幅 25.07mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 9.6mm | ||