STMicroelectronics SuperMESH パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計：*

￥119,097.00

(税抜)

￥131,007.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
個
単価
購入単位毎合計*
1000 - 4000￥119.097￥119,097
5000 - 9000￥117.377￥117,377
10000 - 24000￥114.455￥114,455
25000 - 49000￥111.532￥111,532
50000 +￥108.608￥108,608

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
168-6689
メーカー型番:
STB4NK60ZT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

SuperMESH パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

SuperMESH

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18.8nC

最大許容損失Pd

70W

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

動作温度 Max

150°C

長さ

10.4mm

高さ

4.6mm

幅

9.35 mm

規格 / 承認

JEDEC JESD97

自動車規格

なし

NチャンネルMDmesh™ SuperMESH™、250 V → 650 V、STMicroelectronics


MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ