STMicroelectronics SuperMESH パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
168-6689
メーカー型番:
STB4NK60ZT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

SuperMESH パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

SuperMESH

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18.8nC

順方向電圧 Vf

1.6V

最大許容損失Pd

70W

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

10.4mm

9.35 mm

規格 / 承認

JEDEC JESD97

高さ

4.6mm

自動車規格

なし

NチャンネルMDmesh™ SuperMESH™、250 V → 650 V、STMicroelectronics


MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


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