STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 920-6639
- メーカー型番:
- STB6NK90ZT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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| 1000 - 4000 | ￥167.693 | ￥167,693.00 |
| 5000 - 9000 | ￥163.617 | ￥163,617.00 |
| 10000 - 24000 | ￥159.541 | ￥159,541.00 |
| 25000 - 49000 | ￥155.464 | ￥155,464.00 |
| 50000 + | ￥151.389 | ￥151,389.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 920-6639
- メーカー型番:
- STB6NK90ZT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
STMicroelectronics N チャネル MDmesh ™ SuperMESH ™ 700 V → 1200 V
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 5.8 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 900 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| シリーズ | MDmesh, SuperMESH |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 2 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
| 最大パワー消費 | 140 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 9.35mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 46.5 nC @ 10 V |
| 長さ | 10.4mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 高さ | 4.6mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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