STMicroelectronics SuperMESH パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB4NK60ZT4
- RS品番:
- 687-5190
- メーカー型番:
- STB4NK60ZT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- 687-5190
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- STB4NK60ZT4
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仕様
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | SuperMESH パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | SuperMESH | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 最大許容損失Pd | 70W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC JESD97 | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 幅 | 9.35 mm | |
| 高さ | 4.6mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ SuperMESH パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ SuperMESH | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18.8nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
最大許容損失Pd 70W | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 JEDEC JESD97 | ||
長さ 10.4mm | ||
幅 9.35 mm | ||
高さ 4.6mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルMDmesh™ SuperMESH™、250 V → 650 V、STMicroelectronics
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
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