STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 5.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB7NK80ZT4

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥2,477.00

(税抜)

￥2,724.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 50 は海外在庫あり
  • 285 は 2026年1月14日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 45￥495.40￥2,477
50 - 470￥440.60￥2,203
475 - 595￥385.60￥1,928
600 - 795￥330.80￥1,654
800 +￥276.40￥1,382

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
760-9516
メーカー型番:
STB7NK80ZT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

5.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.8Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

125W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

40nC

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

10.75mm

幅

10.4 mm

高さ

4.6mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

STMicroelectronics N チャネル MDmesh ™ SuperMESH ™ 700 V → 1200 V


MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ