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ディスクリート・ディスクリート半導体
MOSFET・モスフェット
MagnaChip Nチャンネル MOSFET30 V 17 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
RS品番:
170-3036
メーカー型番:
MDS1525URH
メーカー/ブランド名:
MagnaChip
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RS品番:
170-3036
メーカー型番:
MDS1525URH
メーカー/ブランド名:
MagnaChip
データシート
その他
詳細情報
仕様
MDS1525 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 16.9A
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
COO(原産国):
CN
低圧(LV) MOSFET
この低圧(LV) MOSFETは、低いオン状態抵抗と高速スイッチング性能を発揮します。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、MagnaChip
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
17 A
最大ドレイン-ソース間電圧
30 V
パッケージタイプ
SOIC
実装タイプ
表面実装
ピン数
8
最大ドレイン-ソース間抵抗
14.9 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
2.7V
最大パワー消費
5.1 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
長さ
4.9mm
トランジスタ素材
Si
動作温度 Max
+150 °C
幅
3.9mm
1チップ当たりのエレメント数
1
標準ゲートチャージ @ Vgs
13 nC @ 10 V
動作温度 Min
-55 °C
高さ
1.5mm
順方向ダイオード電圧
1.1V
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