Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212
- RS品番:
- 170-8306
- メーカー型番:
- SQS462EN-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 170-8306
- メーカー型番:
- SQS462EN-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| シリーズ | SQ Rugged | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 135mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 33W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.82V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
シリーズ SQ Rugged | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 135mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 33W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8nC | ||
順方向電圧 Vf 0.82V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.4mm | ||
高さ 1.12mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor
Vishay SemiconductorのMOSFET SQシリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。
SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点
• AEC-Q101認定
• ジャンクション温度: 最高+175 °C
• 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET®技術
• 画期的な省スペースのパッケージオプション
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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