Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SQS462EN-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9525
メーカー型番:
SQS462EN-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

SQ Rugged

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

135mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.82V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

33W

動作温度 Max

175°C

長さ

3.4mm

規格 / 承認

No

高さ

1.12mm

幅

3.4 mm

自動車規格

AEC-Q101

NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor


Vishay SemiconductorのMOSFET SQシリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。

SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点


• AEC-Q101認定

• ジャンクション温度: 最高+175 °C

• 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET®技術

• 画期的な省スペースのパッケージオプション

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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