Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 9.6 A 表面実装 パッケージPowerPAK 1212-8 8 ピン
- RS品番:
- 170-8393
- メーカー型番:
- SI7121DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価： 購入単位は3000 個
￥91.386
(税抜)
￥100.525
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥91.386 | ￥274,158.00 |
| 6000 - 27000 | ￥88.659 | ￥265,977.00 |
| 30000 - 42000 | ￥83.93 | ￥251,790.00 |
| 45000 - 57000 | ￥81.566 | ￥244,698.00 |
| 60000 + | ￥79.201 | ￥237,603.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 170-8393
- メーカー型番:
- SI7121DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 9.6 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK 1212-8 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 26 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最大パワー消費 | 27.8 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -25 V, +25 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| 幅 | 3.15mm |
| 長さ | 3.15mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 動作温度 Min | -50 °C |
| 高さ | 1.07mm |
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