Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 9.6 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SI7121DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
818-1380
メーカー型番:
SI7121DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

Si7121DN

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

26mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-50°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

33nC

最大許容損失Pd

27.8W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

3.15 mm

規格 / 承認

No

長さ

3.15mm

高さ

1.07mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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