Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 8.9 A, 表面 150 V, 8-Pin, SI7315DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,712.00

(税抜)

￥1,883.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,520 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥171.20￥1,712
150 - 1390￥152.90￥1,529
1400 - 1890￥134.70￥1,347
1900 - 2390￥115.30￥1,153
2400 +￥96.90￥969

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
180-7728
メーカー型番:
SI7315DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.315Ω

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

52W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15.4nC

動作温度 Min

50°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.61mm

高さ

1.12mm

幅

3.61 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay SI7315DN はデュアル P チャンネル MOSFET で、ドレイン - ソース間電圧（ Vdsこの製品には、パワー PAK 1212-8 パッケージが付属しています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）を提供します。 0.315 Ω @ 10VGS 、 0.35 Ω @ 7.5VGS最大ドレイン電流： -8.9A

Vishay SI7315DN はデュアル P チャンネル MOSFET で、ドレイン - ソース間電圧（ Vdsこの製品には、パワー PAK 1212-8 パッケージが付属しています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）を提供します。 0.315 Ω @ 10VGS 、 0.35 Ω @ 7.5VGS最大ドレイン電流： -8.9A

トレンチ FET パワー MOSFET

小型サイズの低熱抵抗パワー PAK パッケージ

100 % Rg及びUISテスト済み

トレンチ FET パワー MOSFET

小型サイズの低熱抵抗パワー PAK パッケージ

100 % Rg及びUISテスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ