Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 80 A, 10.2 mΩ, 30 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
171-1963
メーカー型番:
BSC070N10NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

BSC070N10NS5

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

83W

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

幅

6.35mm

長さ

5.49mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon BSC070N10NS5シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流 80A、最大ドレイン・ソース間電圧 80V - BSC070N10NS5ATMA1


本MOSFETは、表面実装型の電力変換回路向けに設計された、高電流対応のNチャネル・エンハンスメント型デバイスです。コンパクトな実装と安定した導通性能が必要なスイッチングおよび電力変換用途に対応します。このコンポーネントは広い温度範囲で動作し、高い電流処理能力とゲート駆動耐性を必要とする用途向けに設計されています。

特長:


• 10.2 mΩの非常に低いRds(on)により、導通損失を低減
• 80Aの高い連続ドレイン電流により、高負荷動作に対応
• 中電圧電源システム向けの最大Vds 80
• 30nCの標準ゲート電荷で、効率的なスイッチング制御に対応
• 熱負荷に対応する83Wのピーク消費電力
• 最大ゲート・ソース間電圧20Vで、駆動回路を保護

用途


• 同期整流型バックコンバータの回路に最適
• モータ駆動ハーフブリッジ回路に最適
• 大電流のDC-DCコンバーターで使用
• サーバー用電力分配モジュールに使用可能
• 通信機器の整流およびスイッチギアに最適

デバイスは、動作中にどのような極端な温度条件に耐えることができますか?


-55°C~150°Cで確実に動作するように設計されており、過酷な熱環境での使用が可能です。

いくつのピンとどのような取付方式を使用しますか?


このパッケージは8ピン構成で、コンパクトなプリント基板回路のためのTDSON表面実装形式で提供されます。

スイッチングには、どのようなチャネルタイプと動作モードが採用されていますか?


このトランジスタはエンハンスメント型Nチャネルを採用しており、導通させるには正のゲート駆動電圧が必要です。

基板設計や部品配置に影響する寸法はどれですか?


本体の長さは5.49mm、幅は6.35mm、高さは1.1mmで、フットプリントとクリアランス設計に対応します。

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