Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC030N08NS5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
171-1978
メーカー型番:
BSC030N08NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

BSC030N08NS5

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

61nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

139W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5.49mm

高さ

1.1mm

幅

6.35 mm

自動車規格

なし

Infineon BSC030N08NS5 は、 optiMOS 5 80 V パワー MOSFET です。通信 / サーバー電源の同期整流向けに特別に設計されています。さらに、太陽光発電、低電圧ドライブ、アダプタなどの産業用途でも使用できます。

Infineon BSC030N08NS5 は、 optiMOS 5 80 V パワー MOSFET です。通信 / サーバー電源の同期整流向けに特別に設計されています。さらに、太陽光発電、低電圧ドライブ、アダプタなどの産業用途でも使用できます。

同期整流に最適化

高スイッチング周波数に最適

最大44 %の出力静電容量低減

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高スイッチング周波数に最適

最大44 %の出力静電容量低減

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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