Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC030N08NS5ATMA1
- RS品番:
- 171-1978
- メーカー型番:
- BSC030N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 171-1978
- メーカー型番:
- BSC030N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | BSC030N08NS5 | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 61nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 139W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 長さ | 5.49mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ BSC030N08NS5 | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 61nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 139W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.1mm | ||
長さ 5.49mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon BSC030N08NS5 は、 optiMOS 5 80 V パワー MOSFET です。通信 / サーバー電源の同期整流向けに特別に設計されています。さらに、太陽光発電、低電圧ドライブ、アダプタなどの産業用途でも使用できます。
同期整流に最適化
高スイッチング周波数に最適
最大44 %の出力静電容量低減
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