Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 80 V, 100 A, 5.7 mΩ, 43 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 171-1969
- メーカー型番:
- BSC040N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 171-1969
- メーカー型番:
- BSC040N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| シリーズ | BSC040N08NS5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.7mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.88V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 43nC | |
| 最大許容損失Pd | 104W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 5.49mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
シリーズ BSC040N08NS5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.7mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.88V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 43nC | ||
最大許容損失Pd 104W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 5.49mm | ||
高さ 1.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon BSC040N08NS5 OptiMOS 5 80 V パワー MOSFET は、通信及びサーバー電源の同期整流向けに特別に設計されています。さらに、太陽光発電、低電圧ドライブ、アダプタなどの産業用途でも使用できます。
最高レベルのシステム効率
スイッチング損失及び導電損失を低減
並列の必要性を軽減
電力密度の向上
低電圧オーバーシュート
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