Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 74 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC072N08NS5ATMA1

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥1,354.00

(税抜)

¥1,489.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 9,700 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
10 - 240¥135.40¥1,354
250 - 2390¥125.00¥1,250
2400 - 3190¥114.30¥1,143
3200 - 3990¥103.80¥1,038
4000 +¥93.20¥932

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
222-4620
メーカー型番:
BSC072N08NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

74A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

OptiMOS-TM5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

最大許容損失Pd

69W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5.35mm

高さ

1.2mm

6.1 mm

自動車規格

なし

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

鉛未使用めっきリード; RoHS準拠

100%アバランシェテスト済みの優れた耐熱性

ハロゲン未使用、IEC61249-2-23準拠

関連ページ