型番

onsemi パワーMOSFET, Nチャンネル, デュアル, 40 V, 52 A, 7.4 mΩ, 16 nC, 8ピン, パッケージ：DFN

RS品番:: 172-3314
メーカー型番:: NVMFD5C466NLT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi パワーMOSFET, Nチャンネル, デュアル, 40 V, 52 A, 7.4 mΩ, 16 nC, 8ピン, パッケージ：DFN

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RS品番:: 172-3314
メーカー型番:: NVMFD5C466NLT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	N
	トランジスタ構成	デュアル
	最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)	40 V
	最大連続ドレイン電流(Id)	52 A
	最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)	7.4 mΩ
	標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs	16 nC
	ピン数	8
	パッケージ型式	DFN
	自動車規格	AEC-Q101
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 (Vf)	900 mV
	高さ	1.05 mm
	長さ	6.1 mm
	最大ゲートソース電圧(Vgs)	20 V
	動作温度 (Max)	175 °C
	最大許容損失(Pd)	40 W
	動作温度 (Min)	-55 °C
	取付タイプ	表面
	1チップ当たりのエレメント数	2
	シリーズ	NVMFD5C466NL
	規格 / 承認	PPAP capable, AEC-Q101, RoHS
	幅	5.1 mm

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプ N
	トランジスタ構成デュアル
	最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 40 V
	最大連続ドレイン電流(Id) 52 A
	最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 7.4 mΩ
	標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 16 nC
	ピン数 8
	パッケージ型式 DFN
	自動車規格 AEC-Q101
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 (Vf) 900 mV
	高さ 1.05 mm
	長さ 6.1 mm
	最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V
	動作温度 (Max) 175 °C
	最大許容損失(Pd) 40 W
	動作温度 (Min) -55 °C
	取付タイプ表面
	1チップ当たりのエレメント数 2
	シリーズ NVMFD5C466NL
	規格 / 承認 PPAP capable, AEC-Q101, RoHS
	幅 5.1 mm

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (5x6 mm)

Compact Design

Low rDS(on)

Minimize Conduction Loss

Low QG and Capacitance

Minimize Driver Losses

NVMFD5C446NLWF − Wettable Flank Option

Enhanced Optical Inspection

PPAP Capable

Applications

Solenoid driver

Low side / high side driver

Automotive engine controllers

Antilock braking systems

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