型番

2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 52 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, NVMFD5C466NLT1G パッケージDFN

RS品番:: 172-3351
メーカー型番:: NVMFD5C466NLT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 52 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, NVMFD5C466NLT1G パッケージDFN

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RS品番:: 172-3351
メーカー型番:: NVMFD5C466NLT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	52A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	DFN
	シリーズ	NVMFD5C466NL
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	7.4mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	16nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	40W
	順方向電圧 Vf	0.9V
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	PPAP capable, AEC-Q101, RoHS
	長さ	6.1mm
	幅	5.1 mm
	高さ	1.05mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 52A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 DFN
	シリーズ NVMFD5C466NL
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.4mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 40W
	順方向電圧 Vf 0.9V
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 PPAP capable, AEC-Q101, RoHS
	長さ 6.1mm
	幅 5.1 mm
	高さ 1.05mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース(5 x 6 mm)

小型設計

低RDS(on)

導電損失を最小限に抑制

低QG、低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

NVMFD5C446NLWF - ウェッタブルフランクオプション

光学検査を強化

PPAP対応

用途

ソレノイドドライバ

ローサイド / ハイサイドドライバ

車載用エンジンコントローラ

アンチロックブレーキシステム

2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 52 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, NVMFD5C466NLT1G パッケージDFN

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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