2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 25 A, 表面 80 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージDFN

RS品番:: 195-2560
メーカー型番:: NVMFD6H852NLT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 25 A, 表面 80 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージDFN

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7500 - 13500	￥81.599	￥122,399
15000 - 36000	￥81.333	￥122,000
37500 - 73500	￥81.054	￥121,581
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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	25A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	31.5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	175°C
	最大許容損失Pd	3.2W
	順方向電圧 Vf	0.8V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	10nC
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	-55°C
	高さ	1.05mm
	長さ	6.1mm
	幅	5.1 mm
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 25A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 31.5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min 175°C
	最大許容損失Pd 3.2W
	順方向電圧 Vf 0.8V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max -55°C
	高さ 1.05mm
	長さ 6.1mm
	幅 5.1 mm
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

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