2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 74 A, 表面 80 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージDFN

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1500個入り) 小計：*

￥266,250.00

(税抜)

￥292,875.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 1,500 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
1500 - 1500￥177.50￥266,250
3000 - 13500￥174.89￥262,335
15000 - 21000￥172.279￥258,419
22500 - 28500￥169.669￥254,504
30000 +￥167.059￥250,589

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
195-2668
メーカー型番:
NVMFD6H840NLT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

74A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

175°C

最大許容損失Pd

3.1W

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

デュアル

規格 / 承認

No

幅

5.1 mm

長さ

6.1mm

高さ

1.05mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

3 x 3 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース(5 x 6 mm)

小型設計

低RDS(on)

導電損失を最小限に抑制

低QG、低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

NVMFS5C410NLWF - ウェッタブルフランクオプション

光学検査を強化

PPAP対応

用途

逆バッテリ保護

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

関連ページ