仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	28.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	NVTFS
	パッケージ型式	WDFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3.1mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	107W
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	20nC
	順方向電圧 Vf	1.1V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	3.15mm
	幅	0.8 mm
	長さ	3.15mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 28.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ NVTFS
	パッケージ型式 WDFN
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.1mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 107W
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC
	順方向電圧 Vf 1.1V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 3.15mm
	幅 0.8 mm
	長さ 3.15mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - NVTFS4C02NTAG

ON Semiconductor 車載用パワー MOSFET は、 3 x 3 mm のフラットリードパッケージに収められ、コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を向上させるためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。AEC-Q101準拠のMOSFET、車載用途に適したPPAP対応品です。

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低 QG ・静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低 QG ・静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 28.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN

関連ページ