onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 28.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, NVTFS4C02NTAG

RS品番:: 221-6760
メーカー型番:: NVTFS4C02NTAG
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 28.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, NVTFS4C02NTAG

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥2,901.00

￥3,191.10

￥3,000円を超える注文については、送料無料

在庫限り

1,430 は海外在庫あり（最終在庫）

個	単価	購入単位毎合計*
10 - 60	￥290.10	￥2,901
70 - 690	￥257.40	￥2,574
700 - 890	￥225.60	￥2,256
900 - 1190	￥193.80	￥1,938
1200 +	￥161.00	￥1,610

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:: 221-6760
メーカー型番:: NVTFS4C02NTAG
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	28.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	WDFN
	シリーズ	NVTFS
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3.1mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	20nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	107W
	動作温度 Max	175°C
	幅	0.8 mm
	高さ	3.15mm
	規格 / 承認	No
	長さ	3.15mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 28.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 WDFN
	シリーズ NVTFS
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.1mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 107W
	動作温度 Max 175°C
	幅 0.8 mm
	高さ 3.15mm
	規格 / 承認 No
	長さ 3.15mm
	自動車規格なし

ON Semiconductor 車載用パワー MOSFET は、 3 x 3 mm のフラットリードパッケージに収められ、コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を向上させるためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。AEC-Q101準拠のMOSFET、車載用途に適したPPAP対応品です。

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低 QG ・静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低 QG ・静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 28.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, NVTFS4C02NTAG

￥3,000円を超える注文については、送料無料

関連ページ