onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 28.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, NVTFS4C02NTAG
- RS品番:
- 221-6760
- メーカー型番:
- NVTFS4C02NTAG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 221-6760
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- NVTFS4C02NTAG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 28.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | NVTFS | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 20nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大許容損失Pd | 107W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 3.15mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 3.15mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 28.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ NVTFS | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大許容損失Pd 107W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 3.15mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 3.15mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor 車載用パワー MOSFET は、 3 x 3 mm のフラットリードパッケージに収められ、コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を向上させるためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。AEC-Q101準拠のMOSFET、車載用途に適したPPAP対応品です。
低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます
低 QG ・静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます
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