onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 203 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NVMFS6H800NT1G

RS品番:: 178-4435
メーカー型番:: NVMFS6H800NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 203 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NVMFS6H800NT1G

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RS品番:: 178-4435
メーカー型番:: NVMFS6H800NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	203A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	シリーズ	NVMFS6H800N
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	2.1mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	85nC
	最大許容損失Pd	200W
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	幅	6.1 mm
	長さ	5.1mm
	高さ	1.05mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 203A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	シリーズ NVMFS6H800N
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプ表面
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.1mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 85nC
	最大許容損失Pd 200W
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	幅 6.1 mm
	長さ 5.1mm
	高さ 1.05mm
	自動車規格 AEC-Q101

COO（原産国）:: MY

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。自動車用途に適しています。

特長

省スペース(5 x 6 mm)

低RDS(on)

低QG、低静電容量

NVMFS6H800NWF - ウェッタブルフランクオプション

PPAP対応

利点

小型設計

導電損失を最小限に抑制

ドライバ損失を最小限に抑制

強化された光学性能

検査

用途

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

48 Vシステム

最終製品

モータ制御

負荷スイッチ

DC/DCコンバータ

特長