- RS品番:
- 177-7490
- メーカー型番:
- SIHF530STRR-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
一時的な在庫切れ - 2024/09/16に入荷し、その後4営業日でお届け予定
単価: 購入単位は800 個
¥84.615
(税抜)
¥93.077
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
800 - 3200 | ¥84.615 | ¥67,692.00 |
4000 - 7200 | ¥82.09 | ¥65,672.00 |
8000 - 19200 | ¥78.975 | ¥63,180.00 |
20000 - 39200 | ¥76.155 | ¥60,924.00 |
40000 + | ¥73.334 | ¥58,667.20 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 177-7490
- メーカー型番:
- SIHF530STRR-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 14 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V |
パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 160 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
最大パワー消費 | 88 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
トランジスタ素材 | Si |
長さ | 10.67mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
幅 | 9.65mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
動作温度 Max | +175 °C |
高さ | 4.83mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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