Microchip Nチャンネル MOSFET60 V 280 mA 表面実装 パッケージTO-236 3 ピン
- RS品番:
- 177-9691
- メーカー型番:
- TN2106K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
在庫切れ
単価： 購入単位は3000 個
￥57.522
(税抜)
￥63.274
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥57.522 | ￥172,566.00 |
| 15000 - 27000 | ￥55.805 | ￥167,415.00 |
| 30000 - 72000 | ￥52.829 | ￥158,487.00 |
| 75000 - 147000 | ￥51.341 | ￥154,023.00 |
| 150000 + | ￥49.852 | ￥149,556.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 177-9691
- メーカー型番:
- TN2106K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
データシート
その他
詳細情報
この低しきい値エンハンスメントモード(通常オン)トランジスタは、垂直型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。
二次降伏なし
低駆動電力要件
並列接続が簡単
低CISS及び高速スイッチング
優れた熱安定性
ソース-ドレインダイオードを内蔵
高入力インピーダンス及び高ゲイン
低駆動電力要件
並列接続が簡単
低CISS及び高速スイッチング
優れた熱安定性
ソース-ドレインダイオードを内蔵
高入力インピーダンス及び高ゲイン
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 280 mA |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| シリーズ | TN2106 |
| パッケージタイプ | TO-236 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 5 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.6V |
| 最大パワー消費 | 360 mW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | 20 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 幅 | 1.4mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 長さ | 3.04mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.8V |
| 高さ | 1.02mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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