Microchip シングルMOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 0.73 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-89, TN2510N8-G

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梱包形態
RS品番:
649-584
メーカー型番:
TN2510N8-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

0.73A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SOT-89

シリーズ

TN2510

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

1.6W

順方向電圧 Vf

1.8V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

Lead (Pb)-free/RoHS

自動車規格

なし

Microchip低しきい値エンハンスメントモード（常時オフ）トランジスタは、垂直DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、双極型トランジスタの電力処理能力とMOSデバイスに固有の高入力インピーダンスと正温度係数を備えたデバイスとなります。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次降伏の恐れがありません。垂直DMOS FETは、超低しきい値電圧、高耐圧、高入力インピーダンス、低入力容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチングや増幅用途に最適です。

高速スイッチング速度

低オン抵抗

二次故障なし

低入出力リーク

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