Microchip Pチャンネル MOSFET500 V 160 mA 表面実装 パッケージSOT-89 3 ピン

この低しきい値エンハンスメントモード(通常オン)トランジスタは、垂直型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。

二次降伏なし
低駆動電力要件
並列接続が簡単
低CISS及び高速スイッチング
高入力インピーダンス及び高ゲイン
優れた熱安定性
ソース-ドレインダイオードを内蔵

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