Microchip MOSFET, タイプNチャンネル 240 V, 360 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージSOT-89

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2000個入り) 小計:*

¥348,480.00

(税抜)

¥383,320.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年2月23日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2000 - 2000¥174.24¥348,480
4000 - 18000¥170.754¥341,508
20000 - 28000¥161.647¥323,294
30000 - 38000¥157.094¥314,188
40000 +¥152.542¥305,084

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
264-8918
メーカー型番:
TN2524N8-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Microchip

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

360A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

240V

シリーズ

TN2524

パッケージ型式

SOT-89

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

1.6W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

1.6mm

規格 / 承認

RoHS

2.6 mm

長さ

4.6mm

自動車規格

なし

マイクロチップ社のNチャネル低しきい値エンハンスメントモード(通常オフ)MOSFETは、縦型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、この製品はバイポーラトランジスタの対応電力容量、MOSデバイス特有の高い入力インピーダンスと正の温度係数を兼ね備えています。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次降伏の恐れがありません。縦型DMOS FETは、低しきい値電圧、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチングと増幅用途に最適です。

低しきい値 (最大2V)

高入力インピーダンス

低入力容量(最大125pF)

高速スイッチング

低オン抵抗

二次降伏なし

低入出力漏れ電流

関連ページ