Microchip MOSFET, Nチャンネル, シングル, 100 V, 350 mA, 4.5 Ω, 3ピン, パッケージ：TO-92
- RS品番:
- 177-9742
- メーカー型番:
- TN0110N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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- RS品番:
- 177-9742
- メーカー型番:
- TN0110N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 100 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 350 mA | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 4.5 Ω | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-92 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.5 V | |
| 高さ | 5.33 mm | |
| 長さ | 5.08 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 1 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | TN0110 | |
| 幅 | 4.06 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 100 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 350 mA | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 4.5 Ω | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-92 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 1.5 V | ||
高さ 5.33 mm | ||
長さ 5.08 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 1 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ TN0110 | ||
幅 4.06 mm | ||
- COO（原産国）:
- TW
この低しきい値エンハンスメントモード(通常オン)トランジスタは、垂直型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。
低しきい値 - 2.0 V (最大)
高入力インピーダンス
低入力静電容量 - 50 pF (標準)
高速なスイッチング速度
低オン抵抗
二次降伏なし
低い入力及び出力漏れ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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