Microchip MOSFET, Nチャンネル, シングル, 100 V, 350 mA, 4.5 Ω, 3ピン, パッケージ：TO-92
- RS品番:
- 177-9742P
- メーカー型番:
- TN0110N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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- RS品番:
- 177-9742P
- メーカー型番:
- TN0110N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 100 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 350 mA | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 4.5 Ω | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-92 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.5 V | |
| 高さ | 5.33 mm | |
| 長さ | 5.08 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 1 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | TN0110 | |
| 幅 | 4.06 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 100 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 350 mA | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 4.5 Ω | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-92 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 1.5 V | ||
高さ 5.33 mm | ||
長さ 5.08 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 1 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ TN0110 | ||
幅 4.06 mm | ||
- COO（原産国）:
- TW
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold - 2.0V max.
High input impedance
Low input capacitance - 50pF typical
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage