Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 9.2 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB

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RS品番:
178-0821
メーカー型番:
IRFB9N60APBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IRFB9N60A

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

750mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.5V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

最大許容損失Pd

170W

動作温度 Max

150°C

4.7mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

10.41mm

高さ

9.01mm

自動車規格

なし

Vishay IRFB9N60AシリーズパワーMOSFET、600 Vドレインソース電圧、9.2 A連続ドレイン電流 - IRFB9N60APBF


このパワーMOSFETは、産業用電子機器のスイッチングおよび電力変換用途向けの高電圧Nチャンネル半導体デバイスです。エンハンスメントモードトランジスタとして動作し、はんだ取り付け用途に適したスルーホールTO-220ABパッケージで提供されます。このデバイスは、機器アセンブリ内で堅牢な電圧処理と適度な電流能力が必要な場所での使用向けに設計されています。

特長:


• 600 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 9.2 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷駆動をサポート • 750 mΩ Rds(on)により、低電流回路での導通損失を低減 • 170 Wの消費電力により、大幅な熱ヘッドルームを実現 • 49 nCの標準ゲート電荷(Vgs 30 V時)により、予測可能なドライブタイミングを実現 • 最大動作温度150°Cまでの定格により、高いジャンクション条件に耐えることができます。

用途


• ライン周波数スイッチング電源に最適 • 産業用モータドライブゲートステージに最適 • 高電圧DC-DCコンバータトポロジーで使用 • パワーブレーキおよびスナバネットワークに使用可能 • スルーホール取り付けが好まれるラボやプロトタイピングに使用

信頼性の高いスイッチングを実現するためには、どのようなゲートドライブの制限を考慮すべきですか?


ドライブ電圧はソースに対して30 Vを超えないでください。このレベルでのゲート電荷は約49 nCで、必要なドライバ電流とスイッチングタイミングを定義します。

熱管理は、連続負荷下での性能にどのように影響しますか?


170 W Pdでは、ジャンクション温度を150 °Cの制限以下に維持し、熱ディレーティングなしで指定された連続ドレイン電流を実現するためには、ヒートシンクが必要です。

機械的に安定した接続には、どのような取り付け方法が推奨されていますか?


TO-220ABパッケージのスルーホールはんだ取り付けにより、繰り返しの熱サイクルに適した堅牢な機械的および熱コンタクトを実現します。

どのような環境温度範囲で動作できますか?


-55°C~150°Cまでの動作に対応し、熱設計が適切な場合に幅広い環境条件で使用できます。

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