Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 9.2 A, 750 mΩ, 49 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 178-0821
- メーカー型番:
- IRFB9N60APBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 178-0821
- メーカー型番:
- IRFB9N60APBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| シリーズ | IRFB9N60A | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 750mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 170W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -30V, +30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 49nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 9.01mm | |
| 長さ | 10.41mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 4.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
シリーズ IRFB9N60A | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 750mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 170W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -30V, +30V | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 49nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 9.01mm | ||
長さ 10.41mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 4.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRFB9N60AシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧600V、連続ドレイン電流9.2A - IRFB9N60APBF
このパワーMOSFETは、産業用電子機器のスイッチングおよび増幅作業向けの高電圧Nチャンネルトランジスタです。エンハンスメントモードデバイスとして動作し、ヒートシンク取り付けに適したTO-220ABスルーホールパッケージで提供されます。このコンポーネントは、幅広い温度範囲で機能するように設計されており、過酷な熱環境に適しています。
特長：
• 600 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチングを実現
• 9.2 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 750mΩ のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 170Wの最大消費電力により、高出力処理が可能
• 49nCの標準ゲート電荷により、スイッチングダイナミクスを制御可能
• 標準ゲートドライブ電圧をサポートする30 Vゲート許容差
• 9.2 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 750mΩ のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 170Wの最大消費電力により、高出力処理が可能
• 49nCの標準ゲート電荷により、スイッチングダイナミクスを制御可能
• 標準ゲートドライブ電圧をサポートする30 Vゲート許容差
用途
• オフライン電源およびSMPSに最適
• インバータおよびモータードライブステージに最適
• 高電圧DC-DCコンバータ設計に使用
• 産業機器の誘導負荷スイッチングに使用可能
• スルーホール開発ボードのパワーステージプロトタイプに使用
• インバータおよびモータードライブステージに最適
• 高電圧DC-DCコンバータ設計に使用
• 産業機器の誘導負荷スイッチングに使用可能
• スルーホール開発ボードのパワーステージプロトタイプに使用
デバイスは、動作中にどのような極端な温度条件に耐えることができますか？
-55°C～150°Cの周囲温度で動作し、低温スタートと高熱ストレスに対応します。
このパッケージは、システム内の取り付けと冷却をどのようにサポートしますか?
TO-220ABの外形により、確実なスルーホール固定とヒートシンクへの直接取り付けが可能で、熱伝導を向上させます。
スイッチング性能を確保するため、ゲート駆動ではどのような点を考慮する必要がありますか？
ドライブ電圧は、ゲート-ソースの±30V以内に保たなければなりません。
49nCのゲート充電は、目的のスイッチング速度に必要なドライバ電流に影響を与えます。
このデバイスは車載グレードの用途に適していますか?
自動車規格に準拠していないため、自動車認証を受けた設備ではなく、産業用途に推奨されています。
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