Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 9.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
178-0850
メーカー型番:
IRFS9N60APBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

9.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

IRFS9N60A

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

750mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.5V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

170W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49nC

動作温度 Max

150°C

高さ

4.83mm

長さ

10.67mm

9.65mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay IRFS9N60AシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流9.2 A - IRFS9N60APBF


このパワーMOSFETは、産業用および電子システムのスイッチングおよび電力変換作業用に設計された高電圧Nチャンネルデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、高電圧性能と堅牢な熱処理が必要な電源アセンブリへの表面実装統合を目的としています。

特長:


• 600 Vのドレイン耐電圧により、高電圧スイッチングを実現
• 9.2 Aの連続ドレイン電流により、安定した負荷処理を実現
• 750 mΩのオン抵抗により、導通損失を最小限に抑制
• 49 nCの標準ゲート電荷で予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 170 Wの消費電力により、高い電力スループットをサポート
• 高温動作のための最大ジャンクション温度: 150 °C

用途


• 電源のSMPSプライマリスイッチ機能に最適
• 産業用ドライブの高電圧インバータステージに最適
• スイッチモードモータコントローラに使用 高電圧処理
• 力率補正フロントエンド回路に使用可能

組み立てにはどのような取り付け形式が必要ですか?


標準的なヒートシンク基板フットプリントに適合する3ピンのTO-263パッケージで表面実装用に提供されます。

損傷を防止するために、どのようなゲート制限を遵守する必要がありますか?


ゲート酸化過剰ストレスを防止するため、ゲートはソースに対して±30 Vを超えないようにする必要があります。

熱管理は性能にどのように影響しますか?


170 Wの定格損失と150 °Cの最大ジャンクション温度により、高負荷時にジャンクション温度を維持するために、十分な基板銅とヒートシンクが必要です。

どのような環境仕様が材料の選択に影響しますか?


このコンポーネントはRoHS要件に適合しており、組み立て時のはんだ付けや材料選択に影響を与えます。

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